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①发射波长
构成半导体激光器的材料决定了激光器的发射波长。一般釆用GaAs/GaAlAs材料构成850nm波段的短波长半导体激光器，它是以GaAs作为有源区；采用InGaAsP/InP材料构成长波长(1100?1700nm)半导体激光器，它是以InGaAsP作为有源区。
②PI特性
半导体激光器的P1特性是指它的输出功率P随注入电流I的变化关系。图9.16为一半导体激光器的典型PI特性曲线。随着激光器注入电流的增加，其输出光功率增加，但不是呈线性关系。当注入电流低于阈值时，输出功率很�。坏弊⑷氲缌鞔笥阢兄档缌骱螅涑龉夤β仕孀⑷氲缌鞯脑黾佣本缭黾印�
图16 半导体激光器的典型P-1特性曲线
③温度特性
半导体激光器是对温度敏感的器件，它的输出光功率随温度而变化。图17为一激光器的PT特性随温度变化的情况。随着温度的升高，器件的阈值电流增大，输出光功率降低，而且输出光的峰值波长会向长波长方向漂移。因此实用化的半导体激光器必须对温度加以控制。
图17 激光器的P-I特性随温度变化的情况
④模式特性
半导体激光器中所允许的光场模式分为TE和TM两组，每一组模式对应着电（或磁）场在垂直于PN结平面方向（横向）、平行于PN结平面方向（侧向）和传输方向（纵向）的稳定驻波形式，这三个方向上的驻波分别称为横模、侧�：妥菽�。激光器的横�：筒嗄＞龆耸涑龉馐目占浞植迹蛔菽Ｔ虮硎玖思す馄髟谛痴袂环较蛏瞎獠ǖ恼竦刺匦裕醇す馄鞣⑸涞墓馄椎男灾�。在光纤通信系统中要求半导体激光器工作于基横�：偷ゲ嗄＃蕴岣哂牍庀说鸟詈闲�。为减小光纤带来的色散.要求激光器单纵模工作，特别是在高速调制下的单纵模运转。
⑤光谱特性
半导体激光器的光谱特性主要是由激光器的纵模决定。
激光器的光谱会随着注入电流而发生变化。当注入电流低于阈值电流时，半导体激光器发出的是荧光，光谱很宽，如图18（a）所示。当电流增大到阈值电流时，光谱突然变窄,光谱中心强度急剧增加，出现了激光，如图18（b）所示。对于单纵模半导体激光器，由于只有一个纵模，其谱线更窄，如图18（c）所示。
⑥激光器的效率
半导体激光器把激励的电功率转换成光功率发射出去，常用功率效率和量子效率衡量激光器转换效率的高低。最常用的是外微分量子效率，其定义为激光器达到阈值后.输出光子数的增量与注入电子数的增量之比，表达式为
图18 半导体激光器的输出光谱
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